DIVIRTA- SE COM a ELETRÔNICA Vol.09-1981 - UNI-SOM & PIRADONA

DIVIRTA- SE COM a ELETRÔNICA Vol.09-1981 - UNI-SOM &  PIRADONA 

SÍNTESE SONORA & ELETRÔNICA ARTESANAL

ACERVO HISTÓRICO! 
UNI-SOM ( órgão de brinquedo)
PIRADONA (maquina do som)

PROJETOS DE CIRCUITOS MUSICAIS ELETRÔNICOS E OUTRAS INFORMAÇÕES!

Tudo que eu encontrei em revistas antigas, livros e sites sobre musica feita eletronicamente e instrumentos para fazer ou manipular música ou sons eletrônicos ,mas que ainda não testei...Quem sabe você faça isto!

Eliminando ruídos de áudio com filtro passa -baixa RC na fonte de alimentação DC.

Eliminando ruídos de áudio com filtro passa-baixa RC na fonte de alimentação DC. 

SÍNTESE SONORA & ELETRÔNICA ARTESANAL

A boa filtragem é essencial em muitos projetos eletrônicos, principalmente os que envolvem sinais de áudio.
Efeitos desagradáveis :

• O ronco no alto-falante que aparece na ausência de som.
  
• O volume auto com uma estação de rádio misturado ao som.
  
• O ronco ,chiados AC que nem sempre vem dos cabos ou de problemas de blindagem.
  

A fuga de 60 Hz para dentro de um equipamento eletrônico de áudio pode ser percebida como um som constante, semelhante a um ronco ou zumbido bastante grave.

O "ripple" ou ondulação de uma fonte nada mais é do que a oscilação de tensão da ordem de milivolts que se mantém na saída de corrente contínua e que justamente tem uma frequência de 60Hz ou 120Hz (para as fontes de onda completa).

Atualização! (30/05/20)

Apenas como informação adicional e talvez muito útil ,pois tenho notado a baixa qualidade ou baixo dimensionamento dos capacitores das fontes mais simples ,adiciono abaixo um método teórico para estipular de forma mais adequada o capacitor que elimina o "ripple" de uma fonte …

A suavização desse "ripple" é realizada por um capacitor eletrolítico de grande valor conectado através da fonte de CC para atuar como um reservatório, fornecendo corrente à saída quando a tensão de CC variável do retificador está caindo.

A suavização não é perfeita devido à queda da tensão do capacitor durante a descarga, gerando uma pequena tensão de ondulação . Para muitos circuitos, uma ondulação de 10% da tensão de alimentação é satisfatória e a equação abaixo fornece o valor necessário para o capacitor de suavização. Um capacitor maior dará menos ondulações. O valor do capacitor deve ser dobrado ao suavizar a CC em meia onda.

A eficácia de suavização do capacitor depende significativamente da corrente de carga, pois isso aumenta a resposta de suavização do capacitor que diminui correspondentemente em cargas com maior corrente , e exigirem um capacitor de suavização mais substancial para poder manter o "ripple" em valores aceitáveis.

Um exemplo:

Uma fonte onda completa com F=120 Hz ,com transformador de secundário de Vtr=24 volts CA e corrente máxima de I=3 Amperes.

Nesse caso queremos um fator de "ripple" de 10% padrão.

Temos que achar :

Tensão DE PICO do TRAFO (Vp)

Vtr * Raiz quadrada de 2 = Vp

Vp=24 * Raiz quadrada de 2 >>> Vp=33,94v

Tensão de PICO no CAPACITOR (Vpc)

Vpc=Vp-Vd (Vd ) é a queda de tensão nos dois diodos ativos da ponte

Vpc=33,94-1,2 >>>>Vpc=32,54v

Tensão de "ripple" (Vrp)

Vrp=10% de Vpc

Vrp=10 * 32,54 / 100 >>>Vrp=3,24

Vrp= I / F * C >>> C= I/ F * Vrp >>>> C= 0,007716 F ou 7.716uF

Como não tem um capacitor com este valor fazemos uma associação em paralelo de valor próximo sempre igual ou um pouco maior .

A tensão de trabalho de um capacitor de filtro (Vcp) é 50% maior que tensão de pico do transformador.

Vcp = 50% + de Vtr >>>Vcp= 50,91 volts

O valor padrão ou comercial de isolação dos capacitores é 50 Volts.

Eu usaria dois capacitores um de 4700uf x 50v e outro de 3300uf x 50v em paralelo que resulta 8000uf x 50v.

Para sanar esses problemas existem várias técnicas de filtragem, em minhas experiências e montagens uso o filtro passa baixa RC na saída da fonte de alimentação DC .

Dentro dos filtros passivos o filtro passa baixa que é constituído por um circuito RC- série.

Um filtro passa baixas ideal elimina completamente todas as frequências acima da frequência de corte, enquanto permite que as frequências abaixo desta faixa passem inalteradas.

Para ondas senoidais (abaixo da frequência de corte) de baixa frequência e consequentemente as tenções contínuas ,a reatância capacitiva assume valores altos em comparação com a resistência ,assim ,a tensão de entrada da fonte é quase igual à da saída. Para frequências altas (após a frequência de corte) o circuito funciona inversamente, a reatância capacitiva assume valores baixos em comparação com a resistência, atenuando a tensão (jogando para terra) destas frequências em valores praticamente nulos. Por isso o filtro é chamado de passa - baixa, pois deixa passar sinais inferiores ao ponto de início de bloqueio de frequências.

Calculando a resistência e capacitância em relação as necessidades de funcionamento do parelho alimentado podemos calcular os valores do resistor e capacitor de corte.

Exemplo:

Uma fonte saída 12 volts 1A
O equipamento neste caso é um pré-amplificador que consome uns 30 mA no geral.

Valor de R e C para atenuar ruido teórico?

Frequência inicial de corte 60HZ .
FC=1/2.pi.R.C
R=1/2.pi.Fc.C

Resistor tem que ter valor baixo para não influenciar muito a tensão e a corrente DC e a potência do resistor deve ser observada em relação o consumo do equipamento. Eu costumo adotar valor inicial de 100 R, mas as vezes têm que se experimentar valores próximos para fazer uma sintonia fina e retirar a maior quantidade de ruido que sai no áudio…

Exemplo teórico

60=1/2.pi.100.C
c=1/2.pi.60.100
c=0,0000265 f
c=26,5 uF >>>>pode se usar valor comercial próximo ou associação paralelo teoricamente.

Não dá para usar assim na pártica ,pois a frequência de corte fica muito em cima das frequências ruidosas…
O corte tem que ser mais baixo, como geralmente a fonte e o circuito tem capacitores de filtragem altos…

NA PRATICA!

Eu experimento apenas o resistor 100 r ou um pouco mais ate eliminar o ruido sem comprometer a saída DC!

A além disso aumentar a capacitância do eletrolítico do filtro da fonte para no mínimo 2200 uf também ajuda…

A frequência de corte fica bem baixa e atenua muito bem!
Não esquecer da potência do resistor e da voltagem de isolação do capacitor!

O resistor :
P=i.u
P=0.03A * 12
P=0,36W
Então um resistor de 1/2 w fica bem ai…
O capacitor basta isolação  16 ou 25 volts!

Material de apoio:
LABORATÓRIO DE ELETRICIDADE E ELETRÔNICA
 CAPUANO, FRANCISCO  MARINO, MARIA AP M Edição:  11
http://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/artigos/49-curiosidades/3207-art436.pdf
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/artigos/54-dicas/5389
https://pt.wikipedia.org/wiki/Filtro_passa-baixo

http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/artigos/54-dicas/5389

https://electronicsclub.info/powersupplies.htm

https://www.youtube.com/watch?reload=9&v=R5vY3IDz2hU

https://www.youtube.com/watch?v=ieWNN5pxGHM&t=595s

Os mais importantes transístores para uso em áudio vintage by AUDIOLIST

Os mais importantes transístores para uso em áudio vintage by AUDIOLIST 

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Transístores mais comuns em áudio: características e encapsulamentos

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“Portal e fórum de discussão sobre som profissional - falamos sobre sonorização de eventos e ambientes,
gravação em estúdio e ao vivo, eletrônica, acústica, caixas & falantes, etc (mas não sobre informática musical). ”

Transístores Para Áudio - 2009
Descrição: Transístores mais comuns em áudio: características e encapsulamentos
Categoria: Componentes eletrônicos  ::  Tipo: Tabela
Data: Sáb 20 Jun 09 10:43  ::  Visitas 10217
Palavras-chave: transistor, eletrônica, componentes eletrônicos

Os mais importantes transístores para uso em áudio: amplificadores de potência, pré-amplificadores de linha e microfone, etc.
Suas características e encapsulamento.
Também estão aqui, detalhes sobre transístores obsoletos, de Germânio, para restauradores e colecionadores de equipamento antigo.

Modelo  | Tipo | Fabricante | Vce ou  | Ic ou  | Ft ou  | Pd    | Outras informações         |      |            | Vds max | Id max | ton    |       |         |      |            | (V)     | (A)    |        | (W)   | ------------------------------------------------------------------------------------------------------- MJE15028   NPN    ON Semi.     120         8     30 MHz    50     hfe 20 - 40   MJE15029   PNP    ON Semi.     120         8     30 MHz    50     hfe 20 - 40   MJE15030   NPN    ON Semi.     150         8     30 MHz    50     hfe 20 - 40   MJE15031   PNP    ON Semi.     150         8     30 MHz    50     hfe 20 - 40   MJE15032   NPN    ON Semi.     250         8     30 MHz    50     hfe 20 - 40   MJE15033   PNP    ON Semi.     250         8     30 MHz    50     hfe 20 - 40   MJL3281A   NPN    ON Semi.     200        15     30 MHz   200     hfe 60 - 175   MJL1302A   PNP    ON Semi.     200        15     30 MHz   200     hfe 60 - 175   MJL21193   PNP    ON Semi.     250        16      4 MHz   200     hfe 25   MJL21194   NPN    ON Semi.     250        16      4 MHz   200     hfe 25   MJL21195   PNP    ON Semi.     250        16      4 MHz   200     hfe 25   MJL21196   NPN    ON Semi.     250        16      4 MHz   200     hfe 25   MJ15003    NPN    ON Semi.     140        20      2 MHz   250     hfe 25   MJ15004    PNP    ON Semi.     140        20      2 MHz   250     hfe 25   MJ15022    NPN    ON Semi.     200        15      4 MHz   250     hfe 15   MJ15023    PNP    ON Semi.     200        15      4 MHz   250     hfe 15   MJ15024    NPN    ON Semi.     250        15      4 MHz   250     hfe 15   MJ15025    PNP    ON Semi.     250        15      4 MHz   250     hfe 15   2SA1837    PNP    Toshiba      230         1     70 MHz    20     hfe 100 - 320   2SC4793    NPN    Toshiba      230         1     70 MHz    20     hfe 100 - 320   2SA1930    PNP    Toshiba      180         2    200 MHz    20     hfe 100 - 320 2SA5171    NPN    Toshiba      180         2    200 MHz    20     hfe 100 - 320 2SA1986    PNP    Toshiba      230        15     30 MHz   150     hfe 55 - 160 2SC5358    NPN    Toshiba      230        15     30 MHz   150     hfe 55 - 160 2SA1987    PNP    Toshiba      230        15     30 MHz   180     hfe 55 - 160 2SC5359    NPN    Toshiba      230        15     30 MHz   180     hfe 55 - 160 2SA1302    PNP    Toshiba      200        15     25 MHz   150     hfe 55 - 160 2SC3281    NPN    Toshiba      200        15     25 MHz   150     hfe 55 - 160 2SC3264    NPN    Sanken       230        17     60 MHz   150   2SA1295    PNP    Sanken       160        17     60 MHz   230   2SC2921    NPN    Sanken       160        15     50 MHz   150   2SA1215    PNP    Sanken       160        15     50 MHz   150   2SC2922    NPN    Sanken       180        17     50 MHz   200 2SA1216    PNP    Sanken       180        17     50 MHz   200 2SC2774    PNP    Sanken       200        17     20 MHz   200 2SA1170    NPN    Sanken       200        17     20 MHz   200 2SK213     NMOS   Toshiba      140         0.5  20/30 ns   30 2SK214     NMOS   Toshiba      160         0.5  20/30 ns   30 2SK215     NMOS   Toshiba      180         0.5  20/30 ns   30 2SK216     NMOS   Toshiba      200         0.5  20/30 ns   30 2SJ76      PMOS   Toshiba      140         0.5  20/30 ns   30 2SJ77      PMOS   Toshiba      160         0.5  20/30 ns   30 2SJ78      PMOS   Toshiba      180         0.5  20/30 ns   30 2SJ79      PMOS   Toshiba      200         0.5  20/30 ns   30 2SK1058    NMOS   Toshiba       80         7    200 ns    100     cin 600 pF 2SJ162     PMOS   Toshiba       80         7    200 ns    100     cin 900 pF 2SK135     NMOS   Toshiba      160         7        -     100     ron 1.7 | cin 600 pF 2SJ50      PMOS   Toshiba      160         7        -     100     ron 1.7 | cin 900 pF 2SK1529    NMOS   Toshiba      180        10        -     120     Vds(off) 0.8 - 2.8 v | cin = 1500 pF 2SJ200     PMOS   Toshiba      180        10        -     120     Vds(off) 0.8 - 2.8 v | cin = 1500 pF 2SK1530    NMOS   Toshiba      200        12        -     150     Vds(off) 0.8 - 2.8 v | cin = 1700 pF 2SJ201     PMOS   Toshiba      200        12        -     150     Vds(off) 0.8 - 2.8 v | cin = 1700 pF 2SK405     NMOS                160         8        -     100     classe A 2SJ115     PMOS                160         8        -     100     classe A GT20D101   IGBT   Toshiba      250        20        -     180     cin = 1400pF GT20D201   IGBT   Toshiba      250        20        -     180     cin = 1450pF IRF522     NMOS   IRF          100         4     80 ns     40     ron 0.4 IRF9532    PMOS   IRF          100         6    100 ns     75     ron 0.4 IRF240     NMOS   IRF          200        18        -     125     ron 0.18 IRF9240    PMOS   IRF          200        11        -     125     ron 0.4 ------------------------------------------------------------------------------------------------------- Modelo  | Tipo | Fabricante | Vce ou  | Ic ou  | Ft ou  | Pd    | Outras informações         |      |            | Vds max | Id max | ton    |       |         |      |            | (V)     | (A)    |        | (W)   |

Termos Núm.       O número (identificação) do componente Case       Encapsulamento (sub categorias não inclusas) Pol        Polaridade - N = NPN   P = PNP Mat        Material - G = Germânio   S = Silício Vce        Tensão de ruptura - Coletor / Emissor Vcb        Tensão de ruptura - Coletor / Base IC         Corrente de coletor (em miliampéres) Vces       Tensão de saturação (transistor em corte sob a corrente IC especificada) (em Volts) Hfe        Ganho de corrente (mínimo e máximo sob corrente IC especificada) FT         Frequência de Transição - a frequência onde o ganho cai a 1 (em megahertz) Ptot       Potência total de dissipação (em milliwatts sob 25ºC) Aplicação  Uso sugerido:               SS    Pequenos sinais               HF    alta frequência               HC    Alta corrente               GP    Uso geral               Sw    Comutação               O/P   Saída               VHF   Very High Frequency Transistores Bipolares Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     |     |      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- AC107      GT3  NPN/Ge   15    15     10   -      -        30   160      3      2         3      80  Audio Baixo ruído AC125     TO-1  PNP/Ge   12    32    100   -      -       100   100      2      1.3      10     216  Driver AC126     TO-1  PNP/Ge   12    32    100   -      -       140   140      2      1.7      10     216  Driver AC127     TO-1  NPN/Ge   12    32    500   -      -       105   105    300      1        10     340  O/P AC128     TO-1  PNP/Ge   16    32   1000   0.6    1000     60   175    300      1        10     260  O/P AC132     TO-1  PNP/Ge   12    32    200   0.35    200    115   115     50      1.3      10     216  O/P AC187     TO-1  NPN/Ge   15    25   2000   0.8    1000    100   500    300      1        10     800  O/P AC188     TO-1  PNP/Ge   15    25   2000   0.6    1000    100   500    300      1        10     220  O/P AD149     TO-3  PNP/Ge   30    50   3500   0.7    3000     30   100   1000      0.3     200   32000  GP O/P AD161      PT1  NPN/Ge   20    32   3000   0.6    1000     80   320    500      0.02    300    4000  Audio amp AD162      PT1  PNP/Ge   20    32   3000   0.4    1000     80   320    500      0.02    300    6000  Audio amp AF114     TO-7  PNP/Ge   15    32     10   0         0    150   150      1     75         1      75  HF amp AF115     TO-7  PNP/Ge   15    32     10   0         0    150   150      1     75         1      75  HF amp AF116     TO-7  PNP/Ge   15    32     10   0         0    150   150      1     75         1      75  HF amp AF117     TO-7  PNP/Ge   15    32     10   0         0    150   150      1     75         1      75  HF amp AF118     TO-7  PNP/Ge   20    70     30   5        30     35    35   1000    175        10     375  VHF amp ASZ15     TO-3  PNP/Ge   60   100  10000   0.4   10000     20    55   1000      0.2    1000   30000  HC sw ASZ16     TO-3  PNP/Ge   32    60  10000   0.4   10000     45   130   1000      0.25   1000   30000  HC sw ASZ17     TO-3  PNP/Ge   32    60  10000   0.4   10000     25    75   1000      0.22   1000   30000  HC sw ASZ18     TO-3  PNP/Ge   32   100  10000   0.4   10000     30   110   1000      0.22   1000   30000  HC sw Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     |     |      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | BC107    TO-18  NPN/Si   45    50    100   0.2     100    110   450      2    300        10     300  SS amp BC108    TO-18  NPN/Si   20    30    100   0.2     100    110   800      2    300        10     300  SS amp BC109    TO-18  NPN/Si   20    30    100   0.2     100    200   800      2    300        10     300  Low Noise s.s. amp BC109C   TO-18  NPN/Si   20    30    100   0.2     100    420   800      2    300        10     300  Low noise high gain BC157   SOT-25  PNP/Si   45    50    100   0.25    100     75   260      2    150        10     300  SS amp BC158   SOT-25  PNP/Si   25    30    100   0.25    100     75   500      2    150        10     300  SS amp BC159   SOT-25  PNP/Si   20    25    100   0.25    100    125   500      2    150        10     300  SS amp BC177    TO-18  PNP/Si   45    50    100   0.25    100     75   260      2    150        10     300  SS amp BC178    TO-18  PNP/Si   25    30    100   0.25    100     75   500      2    150        10     300  SS amp BC179    TO-18  PNP/Si   20    25    100   0.25    100    125   500      2    150        10     300  SS amp BC182L   TO-92  NPN/Si   50    10    200   0.25     10    100   480      2    150        10     300  SS amp BC183L   TO-92  NPN/Si   30    45    200   0.25     10    100   850      2    150        10     300  SS amp BC184L   TO-92  NPN/Si   30    45    200   0.25     10    250   850      2    150        10     300  Low noise high gain BC186    TO-18  PNP/Si   25    40    200   0.5      50     40   200      2     50        50     300  GP amp BC207   TO-106  NPN/Si   45    50    200   0.25     10    110   220      2    150        10     300  SS amp BC208   TO-106  NPN/Si   20    25    200   0.25     10    110   800      2    150        10     300  SS amp BC209   TO-106  NPN/Si   20    25    200   0.25     10    200   800      2    150        10     300  Low noise high gain BC212L   TO-92  PNP/Si   50    60    200   0.25     10     60   300      2    200        10     300  SS amp BC213L   TO-92  PNP/Si   30    45    200   0.25     10     80   400      2    200        10     300  SS amp BC214L   TO-92  PNP/Si   30    45    200   0.25     10     80   400      2    200        10     300  SS amp BC327    TO-92  PNP/Si   45     0   1000   0.7     500    100   600    100    100        10     800  O/P BC337    TO-92  NPN/Si   45     0   1000   0.7     500    100   600    100    200        10     800  O/P BC547   SO7-30  NPN/Si   45    50    100   0.6     100    110   800      2    300        10     500  SS amp BC548   SO7-30  NPN/Si   30    30    100   0.6     100    110   800      2    300        10     500  SS amp BC549   SO7-30  NPN/Si   30    30    100   0.6     100    200   800      2    300        10     500  Low noise s. sig BC549C  SO7-30  NPN/Si   30    30    100   0.6     100    420   800      2    300        10     500  Low noise high gain BC635    TO-92  NPN/Si   45    45   1000   0.5     500     40   250    150    130       500    1000  Audio O/P BC636    TO-92  PNP/Si   45    45   1000   0.5     500     40   250    150    130       500    1000  Audio O/P BC639    TO-92  NPN/Si   80   100   1000   0.5     500     40   160    150    130         0    1000  Audio O/P BC640    TO-92  PNP/Si   80   100   1000   0.5     500     40   160    150    130         0    1000  Audio O/P BCY70    TO-18  PNP/Si   40    50    200   0.5      50     50    50     10    250        50     350  GP BCY71    TO-18  PNP/Si   45    45    200   0.5      50    100   600     10    200        50     350  GP BCY72    TO-18  PNP/Si   25    25    200   0.5      50     50    50     10    200        50     350  GP Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     |     |      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | BD137   TO-12G  NPN/Si   60    60   1000   0.5     500     40   160    150    250       500    8000  GP O/P BD138   TO-126  PNP/Si   60    60   1000   0.5     500     40   160    150     75       500    8000  GP O/P BD139   TO-126  NPN/Si   60   100   1000   0.5     500     40   160    150    250       500    8000  GP O/P BD140   TO-126  PNP/Si   80   100   1000   0.5     500     40   160    150     75       500    8000  GP O/P BD262   TO-126  PNP/Si   60    60   4000   2.5    1500    750   750   1500      7      1500   36000  High gain darl. O/P BD263   TO-126  NPN/Si   60    80   4000   2.5    1500    750   750   1500      7      1500   36000  High gain darl. O/P BD266A  TO-220  PNP/Si   80    80   8000   2      3000    750   750   3000      7         0   60000  High gain darl. O/P BD267A  TO-220  NPN/Si   80   100   8000   2      3000    750   750   3000      7         0   60000  High gain darl. O/P BDX64A    TO-3  PNP/Si   80    80  12000   2.5    5000   1000  1000   8000      7      5000    117W  Darl. O/P BDX65A    TO-3  NPN/Si   80    80  12000   2.5    5000   1000  1000   8000      7      5000    117W  Darl. O/P BDY20     TO-3  NPN/Si   60   100  15000   1.1    4000     20    70   4000      1      4000    115W  Power O/P Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     | (mA)|      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | BF115    TO-72  NPN/Si   30    50     30   0         0     45   165      1     230        1     145  VHF amp BF167    TO-72  NPN/Si   30    40     25   0         0     26    26      4     350        4     130  TV IF amp BF173    TO-72  NPN/Si   25    40     25   0         0     37    37      7     550        5     230  TV IF amp BF177    TO-39  NPN/Si   60   100     50   0         0     20    20     15     120       10     795  TV video amp BF178    TO-39  NPN/Si  115   185     50   0         0     20    20     30     120       10    1700  TV video amp BF179    TO-39  NPN/Si  115   250     50   0         0     20    20     20     120       10    1700  TV video amp BF180    TO-72  NPN/Si   20    30     20   0         0     13    13      2     675        2     150  UHF amp BF184    TO-72  NPN/Si   20    30     30   0         0     75   750      1     300        1     145  HF amp BF185    TO-72  NPN/Si   20    30     30   0         0     34   140      1     220        1     145  HF amp BF194    SOT25  NPN/Si   20    30     30   0         0     65   220      1     260        1     250  HF amp BF195    SOT25  NPN/Si   20    30     30   0         0     35   125      1     200        1     250  HF amp BF200    TO-72  NPN/Si   20    30     20   0         0     15    15      3     650        3     150  VHF amp BF336    TO-39  NPN/Si  180   180    100   0         0     20    60     30     130        0    3000  Video amp BF337    TO-39  NPN/Si  200   300    100   0         0     20    60     30     130        0    3000  Video amp BF338    TO-39  NPN/Si  225   250    100   0         0     20    60     30     130        0    3000  Video amp BFY50    TO-39  NPN/Si   35    80   1000   2       150     30    30    150      60       50    2860  GP BFY51    TO-39  NPN/Si   30    60   1000   0.35    150     40    40    150      50       50    2860  GP BFY52    TO-39  NPN/Si   20    40   1000   0.35    150     60    60    150      50       50    2860  GP Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     | (mA)|      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | MJ2501    TO-3  PNP/Si   80    80  10000   2      5000   1000  1000   5000       0        0  150000  O/P Darl. MJ2955    TO-3  PNP/Si0        70  15000   1.1    4000     20    70   4000       4      500  115000  O/P Alta pot. MJ3001    TO-3  NPN/Si   80    80  10000   2      5000   1000  1000   5000       0        0  150000  Darl. O/P MJE2955  90-05  PNP/Si0        70  10000   1.1    4000     20    70   4000       2      500   90000  O/P Alta pot. MJE3055  90-05  NPN/SI   60    70  10000   1.1    4000     20    70   4000       2      500   90000  O/P Alta pot. Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     |     |      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | MU9610     152  NPN/Si   30    40  2000    0.4    1500     80   400    350      70      250    1000  O/P MU9611  152-01  NPN/Si   30    40  2000    0.4    1500     80   400    350      70      250    1000  O/P MU9660     152  PNP/Si0        40  2000    0.4    1500     80   400    350      70      250    1000  O/P MU9661  152-01  PNP/Si   30    40  2000    0.4    1500     80   400    350      70      250    1000  O/P NSD106  TO-202  NPN/Si  100   140     0    2.9     100     50   150    100      80       50       0  Driver-O/P NSD206  TO-202  PNP/Si  100   100     0    2.1     100     50   150    100     150       50       0  Driver-O/P Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     |     |      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | OC26      TO-3  PNP/Ge   30    50   3500   0.7    3000     30   100   1000       3      500   32000  GP O/P OC28      TO-3  PNP/Ge   60   100  10000   0.4   10000     20    55   1000       2     1000   30000  HC switch OC44N     TO-1  PNP/Ge    5    15     10   0         0     45   225      1       7.5      1      85  RF amp OC45      GT-3  PNP/Ge    5    15     10   0         0     25   125      1       3        3      85  RF amp OC70      GT-3  PNP/Ge   10    30     50   0         0     30    30      5       5        0     125  GP amp OC71      GT-3  PNP/Ge   10    30     50   0         0     30    75      3       6        0     125  GP amp OC72      GT-6  PNP/Ge   16    32    250   0         0     45   120     10      35        0     165  Audio O/P OC74N     TO-1  PNP/Ge   10    20    300   6       300     60   150     50       1        0     550  Audio O/P OC75      GT-3  PNP/Ge   10    30     50   0         0     60   130      3       1        0     125  GP amp Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     |     |      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | TIP31B  TOP-66  NPN/Si   80    80   3000   1.2    3000     20    20    500       3      500   40000  Power amp - Sw TIP32B  TOP-66  PNP/Si   80    80   3000   1.2    3000     20    20    500       3      500   40000  Power amp - Sw TIP2955  TOP-3  PNP/Si   70   100  15000   1.1    4000     20    20   4000       8        0   90000  Power amp - Sw TIP3055  TOP-3  NPN/Si   70   100  15000   1.1    4000     20    20   4000       8        0   90000  Power amp - Sw Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     |     |      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | 2N301     TO-3  PNP/Ge   32    40   3000   0         0     50    50   1000       2     1000   11000  Audio O/P 2N706A   TO-18  NPN/Si   15    25    200   0         0     20    20     10     200        0     300  High speed Sw 2N2926   TO-92  NPN/Si   25    25    100   0         0    150   150      2     100        0     200  GP 2N3053   TO-39  NPN/Si   40    60    700   1.4     150     50   250    150     100       50    2860  G.P. switch 2N3054   TO-66  NPN/Si   55    90   4000   1       200     25    25    500       8      200   25000  Audio O/P 2N3055    TO-3  NPN/Si   60    90  15000   1.1    4000     20    20   4000       8     1000  115000  O/P - Sw 2N3563  TO-106  NPN/Si   12    30     50   0         0     20   200      8     600        8     200  RF - IF amp 2N3564  TO-106  NPN/Si   15    30    100   3        20     20   500     15     400       15     200  RF - IF amp 2N3565  TO-106  NPN/Si   25    30     50  35         1    150   600      1      40        1     200  Low level amp 2N3566  TO-105  NPN/Si   30    40    200   1       100    150   600     10      40       30     300  GP amp & Sw 2N3567  TO-105  NPN/Si   40    80    500  25       150     40   120      1      60       50     300  GP amp & Sw 2N3568  TO-105  NPN/Si   60    80    500  25       150     40   120      1      60       50     300  GP amp & Sw 2N3569  TO-105  NPN/Si   40    80    500  25       150    100   300      1      60       50     300  GP amp & Sw 2N3638  TO-105  PNP/Si   25    25    500  25        50     30    30     50     100       50     300  GP amp & Sw 2N3638A TO-105  PNP/Si   25    25    500  25        50    100   100     50     150       50     300  GP amp & Sw 2N3640  TO-106  PNP/Si2        12     80   2        10     30   120     10     300       10     200  Saturated switch 2N3641  TO-105  NPN/Si   30    60    500  22       150     40   120      0     250       50     350  GP amp & Sw 2N3642  TO-105  NPN/Si   45    60    500  22       150     40   120    150     250       50     350  GP amp & Sw 2N3643  TO-105  NPN/Si   30    60    500  22       150    100   300    150     250       50     350  GP amp & Sw 2N3644  TO-105  PNP/Si   45    45    500   1       300    115   300     50     200       20     300  GP amp & Sw 2N3645  TO-105  PNP/Si   60    60    500   1       300    115   300    500     200       20     300  GP amp & Sw 2N3702   TO-92  PNP/Si   25    40    200  25        50     60   300     50     100       50     360  GP amp & Sw 2N3904   TO-92  NPN/Si   40    60    200   0         0    100   300      1       0        0     310  Low level amp 2N4250  TO-106  PNP/Si   40    40    100  25        10    250   400      1      50        0     200  Low level amp 2N4258  TO-106  PNP/Si   12    12     50   5        50     30   120     10     700       10     200  Saturated Sw 2N4292   TO-92  NPN/Si   15    30     50   6        10     20    20      3     600        4     200  Saturated Sw 2N4403   TO-92  PNP/Si0        40    600   0         0    100   300     10       0        0     310  G.P. 2N5589  MT-71C  NPN/Si   18    36    600   0         0      5     5    100     175     3000   15000  H.F. mobile R.F. 2N5590  MT-72C  NPN/Si   18    36   2000   0         0      5     5    250     175    10000   30000  H.F. mobile R.F. 2N5591  MT-72C  NPN/Si   18    36   4000   0         0      5     5    500     175    25000   70000  H.F. mobile R.F. 2N5871    TO-3  PNP/Si   60    60   7000   1      4000     20   100   2500       4      250  100000  Power Número |  Case | Pol/ | Vce | Vcb |  IC | Vces | sob IC | Hfe | Hfe | sob IC |  FT | sob IC | Ptot |Aplicação        |       | Mat  |     |     |     |      | (mA)   | min | max | (mA)   | MHz | (mA)   | (mW) | 40250    TO-66  NPN/Si   50   50   4000    1.5    1500     25    25    100       1        0   29000  Power 40408     TO-5  NPN/Si   80    0    700    1.4     150     40   200    200     100        0    1000  Power 40409    TO-39  NPN/Si   80    0    700    1.4     150     50   250    150     100        0    3000  Power 40410    TO-39  PNP/Si   80    0    700    1.4     150     50   250    150     100        0    3000  Power

Transístores obsoletos   ProElectron Coding

An Introduction.  

Once upon a time, long ago, British and European transistors were commonly coded as valves: 0 = no heater, C = triode. However it was quickly realised that everything would end up as an OC something or other (likewise with diodes, which would all become OAxx) and could be confused with existing cold-cathode valve types. So the ProElectron organisation developed a new system of coding semiconductor devices and the one in use today. Basically, British and European transistors are issued with a unique combination of letters and numbers.

The first letter identifies the semiconductor type:

· A = Germanium
· B = Silicon
· C = Gallium Arsenide
· D = other compound semiconductor material

The second letter indicates the intended use:

· A = Small signal diode
· B = Varicap diode
· C = Small signal LF transistor
· D = LF power transistor
· E = Tunnel (Ersaki) diode
· F = RF small signal transistor
· K = Hall effect device
· L = RF power device
· N = Optocoupler
· P = Radiation sensitive device (e.g photo transistor)
· Q = Radiation emitting device (e.g LED)
· R = Low power SCR
· T = High power SCR or triac
· U = High voltage switching transistor
· Y = Rectifier diode
· Z = Zener diode

Any third letter indicates the device is primarily intended for professional and industrial use. This letter is usually a V, W, X or Y and can be ignored. Many devices have a suffix letter after the number: A = low gain, B = mid gain, C = high gain.

Devices with no suffix can have an hfe anywhere within the part's specification. Military devices are generally marked with a "CV" (Common Valve) number rather than the civilian code. For instance the CV7003 is an OC44 in uniform.

Germanium Transistors

Audio medium power types OC72 OC81D OC81 can be replaced with an AC128, a relatively high voltage, high current device. Type AC127 is the npn complementary to the AC128. Low power AF amplifier transistors like the OC71 can be replaced with the economically priced AC125. The pnp AC188 and npn AC187 are intended for use as a complementary pair in transformerless output stages. All these devices are packaged in metal TO1 cans. Please bear in mind that output transistors must be mounted on a heatsink when run at or near their maximum dissipation. If replacing /K types with their integral heatsink block, the faulty transistor can be pulled from the block and the replacement fitted in its place. Ptot for the AD149 and AD161 AD162 assume they are mounted on a suitable heatsink. Take care when replacing AD161/162, not to damage any mica insulating washers as this size (SO55) is not readily available. A thin smear of heatsink compound should be applied when mounting replacements. The gain (hfe) of germanium transistors is generally lower and far more variable than silicon devices. It is also strongly dependant on collector current and ambient temperature. The base-emitter voltage (Vbe) is also lower at 300mV compared with 600mV for silicon. For this reason you cannot generally substitute a silicon transistor for a germanium device without modifying the biasing arrangements.

The old TO7 alloy-drift transistors were specified as follows:

· AF114: RF pre-amplifier in VHF/FM front ends
· AF115: Mixer/oscillator in VHF/FM front ends.
· AF116: IF amplifier for 10.7MHz used in FM receivers.
· AF117: General purpose RF/IF amplifier in LW/MW/SW receivers.
· AF118: High voltage (75v) video amplifier for transistor TVs.

In practice, the AF125 can be used to replace AF114/115/116. There is no listed equivalent to the AF118 and where replacement is needed for an old transistor TV, it may be necessary to re-jig the circuit to take a suitably rated silicon device. Incidentally, alloy-drift transistors tend to be noisy at low frequencies and as such are not generally suitable for audio circuits. Another point to watch is that equivalent books list the AF239S as a replacement for the AF11x range. However the AF239S is a UHF device designed for use in TV UHF tuners and has a low gain (min hfe 10) compared with the AF11x types (min hfe 50) and my experience is that it won't work properly if at all in most radio circuits.

Silicon Transistors 

Not even silicon devices are safe from the dead hand of obsolescence. Some familiar but early silicon transistors are unavailable, and with the continuing encroachment of cheap, disposable (and as many would describe it, nasty) surface mounted technology, leaded transistors in general seem to be under threat.

Of particular note is the Mullard "Lockfit" range. The BC147, 148 and 149 can be replaced with BC107, 108 and 109 respectively - even the lead configuration is the same.

While germanium transistors have become mainly obsolete, a small range is still being manufactured.

Fortunately most obsolete types used in radios can be replaced from this small range. For instance, the large alloy-drift 4-wire (TO-7) AF112-117 range can be replaced with OC169 or 170, which have the advantage of identical packages. Alternatively the AF125 and AF127 can be used. These are alloy-drift devices electrically similar to the AF115 and 117 respectively, but in a small TO72 metal can (4-lead TO18, same physical size as BC108). They don't suffer the collector-to-case short syndrome that afflicts the earlier types.

Transístores GEC MAZDA STC AEI HIVAC NEWMARKET TEXAS Type    Vcbo   Vce   Ic        Hfe    f      Pol.   Case   Application         max    max   max              MHz --------------------------------------------------------------------------------------- AC107    15    15     10 mA     30     2     PNP    GT3    Low Noise Audio AC125    32    12    100 mA    100     1.3   PNP    TO1    Audio Driver AC126    32    12    100 mA    140     1.7   PNP    TO1    Audio Driver AC127    32    12    500 mA    105     1     NPN    TO1    Audio O/P AC128    32    16      1 A      60     1     PNP    TO1    Audio O/P AC132    32    12    200 mA    115     1.3   PNP    TO1    Audio O/P AC141    50    25    1.2 A    40-110   3     NPN    TO1    Audio. Medium Current AC176    32    20    300 mA   50-180   1     NPN    TO1    Audio. Medium Current AC187    25    15      2 A     100     1     NPN    TO1    Audio O/P AC188    25    15      2 A     100     1     PNP    TO1    Audio O/P AD149    50    30    3.5 A      30     0.3   PNP    TO3    GP O/P AD161    32    20      3 A      80     0.02  NPN    TO3    Audio Amp AD162    32    20      3 A      80     0.02  PNP    TO3    Audio Amp AF114    15    32     10 ma    150    75     PNP    TO7    RF AF115    15    32     10 ma    150    75     PNP    TO7    RF AF116    32    15     10 ma    150    75     PNP    TO7    RF AF117    32    15     10 ma    150    75     PNP    TO7    RF AF118    32    15     10 ma    150    75     PNP    TO7    VHF Amp AF125    20    20     10 mA    130    75     PNP    T072   RF Transístores de Germânio MULLARD Type    Pe      Vce  Ic       Hfe    f      Pol.   Case         max mW  max  max mA          kHz --------------------------------------------------------------------------------------- OC16    6250    32   1500     45     200    PNP    TO3 OC19    8000    32   1500     45     200    PNP    TO3 OC22    6000    32   1000    200   20000    PNP    TO3 OC23    6000    40   1000    200   25000    PNP   TO3 OC24    6000    40   1000    200   25000    PNP    TO3 OC26   12500    32   3500    >20       3    PNP    TO3 OC28   30000    80   6000    >20     -      PNP    TO3 OC29   30000    60   6000    >45     250    PNP    TO3 OC35   30000    60   6000    >25     250    PNP    TO3 OC36   30000    80   6000    >30     250    PNP    TO3 OC41      43    15     50     40    4000    PNP    T01 OC42      43    15     50     80    7000    PNP    T01 OC44      2O    15      5    100   15000    PNP    TO1 OC45      20    10      5     50    6000    PNP    TO1 OC57      10     7      5     35      10    PNP    Collector Red. Then clockwise E B OC58      10     7      5     55      10    PNP    Collector Red. Then clockwise E B OC59      10     7      5     80      10    PNP    Collector Red. Then clockwise E B OC60      10     7      5     -       10    PNP    Collector Red. Then clockwise E B OC65      25     5     10   20-40    -      PNP    TO1 OC66      25    15     10   30-80    -      PNP    TO1 OC70      50    20     10   20-40    -      PNP    TO1 OC71      50    20     10   30-75    -      PNP    TO1 OC72     100    32    125     70     350    PNP    TO1 OC75      75    30     10     90     900    PNP    TO1 OC76      75    32    125    >15     -      PNP    TO1 OC77      75    60    125     45     -      PNP    TO1 OC81     160    32    500   50-250     1    PNP    TO1 OC81D    160    32     20    >25       1    PNP    TO1 OC83     160    32    500     90     850    PNP    TO1 OC139     20    20    250     45    3500    NPN    Base Center. C = Red    Switching OC140     60    20    200    >50    4500    NPN    Base Center. C = Red    Switching OC170     50    20     10    100   70000    PNP    TO1 OC171     50    20     10    100   70000    PNP    TO1